Самсунг начала производство самой быстрой памяти на рынке

Компания Самсунг Electronics в официальном пресс-релизе проинформировала о начале массового производства многослойных микросхем ОЗУ HBM2 2-го поколения объемом 8 ГБ. Чип доходит скорости в 2.4 Гб/сек на пин при вольтаже в 1.2 В. Это на половину больше, чем в первом поколении памяти HBM2, способной разгоняться до 1.6 Гб/сек при вольтаже 1.2 В и 2 Гб/сек при вольтаже 1.35 В. Один пакет такой памяти (8 вертикально сложенных слоев) способен разгоняться до 307 Гб/сек, что в 9.6 раз больше, чем чип на 8 Гб GDDR5-памяти.

Показатели производительности увеличились практически на половину на каждый пакет в сравнении с HBM2 перового поколения компании, который обеспечивает скорость на контакт 1,6 Гбит/с при напряжении 1,2 В и 2 Гбит/с при напряжении 1,35 В. Говоря конкретнее, новая память Самсунг Aquabolt поддерживает скорость 2,4 Гбит/с в расчете на один вывод.

Каждая микросхема Самсунг HBM2 состоит из 8-ми кристаллов памяти.

Ориентируясь на растущий спрос на высокопроизводительную память HBM2 DRAM, компания Самсунг будет поставлять память Aquabolt своим международным ИТ-клиентам в соответствии со стабильным графиком и будет продолжать быстро улучшать свою технологию памяти в сотрудничестве с ведущими ОЕМ-производителями в разнообразных сферах, включая супервычисления, искусственный интеллект и графические вычисления. Каждый кристалл памяти имеет не менее 5 000 контактов TSV для межслойного вертикального соединения.

Среди усовершенствований, которые обеспечили прирост производительности в сравнении с первым поколением, отмечается улучшения конструкции межсоединений TSV, которые позволили уменьшить искажения знаков, а еще не менее эффективные механизмы отвода тепла. Также новая память HBM2 включает дополнительный защитный слой cнизу, что увеличивает общую физическую прочность пакета.

Рекомендуемые новости: